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阵列穿芯多层陶瓷电容器
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阵列穿芯多层陶瓷电容器

预定用途 :穿芯电容器产品,使用额定温度在-55℃~125℃,主要用于需要作温度赔偿的地方,以抵消因其它电路元件温度转变而引起阻抗转变,普遍用于航天航空、雷达、船舶、导弹通讯、医疗装备、细密仪器、仪表等军用电子装备领域。



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